Микросхема tny266pn чем можно заменить
Сообщение ubaml » 24 дек 2013 22:26
Сообщение volna2m » 24 дек 2013 22:45
Re: сма Самсунг Wf752s6s за искрила микросхема TNY266PN
Сообщение Vrubalnik+ » 24 дек 2013 22:49
Сообщение ubaml » 24 дек 2013 22:54
Сообщение Vrubalnik+ » 24 дек 2013 22:55
Сообщение ubaml » 24 дек 2013 23:03
Сообщение Vrubalnik+ » 24 дек 2013 23:14
Сообщение ubaml » 24 дек 2013 23:21
Сообщение Vrubalnik+ » 25 дек 2013 00:30
Сообщение ubaml » 25 дек 2013 23:59
Сообщение Vrubalnik+ » 28 дек 2013 14:42
Сообщение elkri » 28 дек 2013 21:42
Сообщение ubaml » 28 дек 2013 23:11
Сообщение elkri » 29 дек 2013 22:01
Сообщение ubaml » 30 дек 2013 17:18
Сообщение cамрем » 30 дек 2013 19:46
Двухканальный неизолированный промышленный источник питания на микросхеме TNY266P.
| Автор Геннадий Бандура Email: Bandura (at) macrogroup.ru www.macrogroup.ru тел. +7 (812) 370 60 70 |
Двухканальный неизолированный промышленный источник питания на микросхеме TNY266P.
Краткая спецификация источника питания:
Выходные напряжения: 5V/500mA и 24V/200mA
Применение: Промышленное оборудование.
Автор документа: Департамент по применению компании Power Integrations.
Номер документа: DER-110 (оригинал).
Основные достоинства решения:
— Выходная мощность 6 Вт при использовании TNY266P и трансформатора на EE16.
— Типовой КПД на уровне 75%.
— Хорошая стабильность выходных напряжений при использовании недорогого диода зенера.
— Не требует использование оптопары в цепи обратной связи.
Далее на рисунке представлен внешний вид этого источника питания:
2. Схема этого источника питания представлена на рисунке (кликните на рисунке для увеличения):
3. Схема печатного узла:
4. Перечень элементов:
5. Спецификация на трансформатор.
— Схема построения трансформатора:
6. Графики работы схемы:
6.1 Коэффициент полезного действия:
6.2 Потребляемая мощность в режиме холостого хода.
6.3 Выходная взаимная нестабильность каналов.
(при Vin=120 VAC, температура комнатная)
6.4 Выходная линейная нестабильность каналов.
(Полная нагрузка, комнатная температура).
6.5 Осциллограммы напряжения и тока на стоке транзистора:
Vin = 85 VAC, полная нагрузка
Vin = 85 VAC, полная нагрузка
6.6 Профиль выходного напряжения при старте.
6.7 Параметры электромагнитной совместимости.
6.7.1. Наведенные ЭМИ (фазовый провод), максимальная нагрузка, 120VAC, 60Hz, пределы EN55022B.
6.7.2. Наведенные ЭМИ (нулевой провод), максимальная нагрузка, 120VAC, 60Hz, пределы EN55022B.
Статью перевел и дополнил менеджер по направлению Power Integrations.
Схема импульсного источника питания стиральной машины Samsung на TNY266PN
Радиодетели:
Вид самого модуля MFS-C2R10NB-00/C80908/6LF.
Дефектный узел имеет явные признаки перегрева, конденсатор CE1 вздут.
Снимаем плату индикации. Под ним пластиковая подложка которая закрывает плату. В нем под дефектным узлом вырезаем окошечко. На данной плате он разделен на секции что довольно удобно. Вырезать удобно концелярским ножом.
Затем поддеваем отверткой и снимаем окошечко.
Зчищам место от «желе». И отпаеваям контакты шимки.
И снимаем микросхему
Для отпайки конденсатора пришлесь вырезать дополнительное окошечко.
Берем новый TNY266PN.
И устанавливаем на место вышедшего из строя.
Та же процедура и с конденсатором.
Проверка модуля. Питание модуля 220 В поступет на контакт реле relay 2 и средний разьем CN3. Испытание данного модуля прошли успешно.
Итог: Была замена конденсатора CE1 и микросхемы IC3. Дефект возникает из за постоянного нахождения стиральной машинки в сети.
Рекомендации: После каждой стирки, СМА выключать от сети.
Микросхемы маломощного высоковольтного импульсного преобразователя серии TNY2xx
Эти микросхемы выпускаются компанией POWER Integrations и являются высокоэффективным обратноходовым преобразователем с выходной мощностью 1…20Вт. Электрические характеристики микросхем приведены в табл. 1.3, мощность указана из расчета, что микросхема будет стоять в закрытом корпусе адаптера, без радиатора, при температуре окружающей среды +50 °С и находится на пороге срабатывания термозащиты.
Таблица 1.3. Микросхемы высоковольтного импульсного преобразователя серии TNY2xx
При наличии теплоотвода эта цифра будет в 1Д..2 раза выше. Основная сфера применения микросхем серии TNY2xx – малогабаритные зарядные устройства, подпитка компьютерного и другого оборудования в ждущем (Stand By) режиме, маломощные цифровые устройства с сетевым питанием.
Выпускаются микросхемы в корпусе DIP (TNY2xxP), корпусе DIP для поверхностного монтажа (TNY2xxG), микросхема TNY256Y- в корпусе ТО-220-5, расположение выводов показано на рис. 1.28.
Рис. 1.28. Расположение выводов микросхем TNY2xx
Особенности микросхем семейства TinySwitch
Особенности микросхем семейства TinySwitch таковы:
• встроенный силовой транзистор, его максимально допустимое обратное напряжение 700 В;
• очень низкое собственное энергопотребление – менее 0,06 Вт при входном напряжении 230 В;
• встроенные защита от перегрева и ограничитель выходного тока;
• малоинерционная цепь обратной связи, благодаря чему снижаются пульсации выходного напряжения.
Дополнительно в микросхемы семейства TinySwitch Plus встроена схема автоматического рестарта при коротком замыкании выхода (32 мс работает, если выход коротко замкнут, – отключается на 128 мс, после чего снова повторяет попытку старта). Благодаря этому выход микросхемы из строя, даже при длительной работе в состоянии короткого замыкания выхода, практически невозможен.
Вдобавок ко всему вышеперечисленному в микросхемах семейства TinySwitch II:
• повышена до 132 кГц рабочая частота – это позволило использовать трансформатор гораздо меньших размеров;
• добавлена схема джиттера (диапазон рабочей частоты в пределах 128… 136 кГц) – благодаря этому заметно снизился акустический «звон» от работающего преобразователя;
• удален вывод 6, поэтому расстояние между высоковольтным выводом стока и остальными выводами увеличилось до 5…7,5 мм – то есть уменьшились требования к точности и качеству изготовления печатной платы;
• в схему питания микросхемы добавлен защитный стабилитрон, благодаря чему она стала более надежной.
В микросхемах третьего поколения семейства TinySwitch III улучшены все вышеперечисленные параметры и добавлен регулируемый ограничитель тока: при емкости конденсатора на выводе BP 0,1 мкФ максимальный выходной ток микросхемы соответствует указанному в табл. 1.3, при емкости этого конденсатора 1 мкФ максимальный выходной ток уменьшается до тока «младшей» микросхемы (то есть, например, TNY276 превращается в TNY275), а при емкости 10 мкФ – увеличивается до тока у старшей (TNY276 превращается в TNY277; кроме TNY274, у которой ток остается уменьшенным). Это позволяет более точно подстроить ток ограничения, не покупая другую микросхему. Однако сопротивление канала выходного транзистора при этом не изменяется, поэтому более «слабые» микросхемы при подобном «разгоне» греются чуть сильнее.
Типовая схема включения микросхем всех семейств показана на рис. 1.29.
На рис. 1.30 представлена схема включения TNY254 в качестве преобразователя напряжения от телефонной линии, которую можно использовать и при решении других задач радиолюбителя.
Рис. 1.29. Типовая схема включения микросхем всех рассмотренных семейств
Особенности включения микросхем семейства TinySwitch
Отличительная особенность микросхем этого семейства – для питания цепи обратной связи (оптрона) не нужен дополнительный источник питания: микросхема генерирует этот ток (240 мкА) сама. В итоге третья обмотка трансформатора, имеющаяся почти во всех импульсниках на микросхемах других производителей или на транзисторах, не нужна – то есть получается экономия и на обмотках, и на внешних деталях (не нужны дополнительные диод и конденсатор), и на размере и сложности платы.
Выпрямленное сетевое напряжение сглаживается конденсатором С1 и через первичную обмотку трансформатора Т1 поступает на вывод стока встроенного в микросхему DA1 транзистора. Благодаря встроенной схеме питания (ее выход – вывод BP, подключать к этой ножке другие нагрузки запрещено!) напряжение на фильтрующем конденсаторе СЗ возрастает до рабочих 5 В, после чего начинается генерация. Напряжение на выходе преобразователя возрастает, когда оно достигает напряжения стабилизации стабилитрона, – начинает светиться светодиод оптрона V01, его фото.транзистор шунтирует вход EN на корпус, и генерация срывается. Как и большинство аналогичных микросхем, эти микросхемы работают в старт-стопном режиме и не имеют ШИМ.
На элементах VD2-R2-C2 собрана схема ограничителя выбросов (soft clamp) в момент выключения транзистора, она обязательна для надежной работы любого подобного устройства. Диод VD2 может быть любым быстродействующим высоковольтным, его можно заменить на 1N4937 или UF4006, конденсатор С2 – пленочный или керамический с рабочим напряжением от 400 В. Сопротивление резистора R1 для микросхем с выходной мощностью менее 5 Вт можно увеличить до 150 кОм, для микросхем с мощностью более 20 Вт – желательно уменьшить до 75 кОм.
Для еще большей экономии потребляемого тока, увеличения быстродействия и уменьшения помех в микросхемах TNY256 и старше между положительным выводом конденсатора С1 и входом EN микросхемы нужно поставить резистор сопротивлением 2…4 МОм. Одновременно активируется защита от работы при пониженном напряжении питания (undervoltage) – при указанных сопротивлениях резистора микросхема будет выключаться, соответственно, при напряжении ниже 100…200 В.
Рекомендуемый вариант печатной платы устройства показан на рис. 1.31.
Рис. 1.31. Рекомендуемый вариант печатной платы устройства
Импульсные блоки питания на микросхемах TinySwitch
Многие радиолюбители используют в своих конструкциях импульсные обратноходовые блоки питания, и встречаются с ними при ремонте различной радиоаппаратуры. В этой статье автор рассказывает о ИБП, которые собираются на широко распространенных микросхемах нескольких серий TinySwitch.
Американская компания Power Integrations разработала и много лет выпускает несколько семейств интегральных микросхем (ИМС) для маломощных и малогабаритных сетевых импульсных обратноходовых источников питания с гальванической развязкой выходных напряжений от сети объединенных общим названием TinySwitch. Это такие семейства как:
Слово «Tiny» (крошечный) в названии этих семейств говорит об одной из главных особенностях ИМС этих серий — малых размерах.
Все микросхемы входящие в эти семейства имеют минимум внешних элементов и содержат встроенный выходной ключ на высоковольтном МДП-транзисторе. Рабочее напряжение сток-исток 700 В (для TinySwitch-4 — 725 В). ИМС семейства TinySwitch и всех более совершенных семейств используются в зарядных устройствах для сотовых телефонов, импульсных блоках питания (ИБП) радиотелефонных удлинителей (бесшнуровых радиотелефонов) и антенных усилителей, блоках питания дежурного режима телевизоров, персональных компьютеров и т.п.
В этой статье ограничимся рассмотрением более ранних из этих семейств: TinySwitch, TinySwitch Plus и TinySwitch-II.
Особенности микросхем всех этих семейств сведены в табл.1, а внешний вид ИМС и расположение выводов показано на рис.1.
TinySwitch — это семейство экономичных микросхем для маломощных ИБП состоит из трех микросхем TNY253, TNY254 и TNY255, каждая из которых может быть выполнена в одном из двух корпусов DIP-8 (в конце названия микросхемы стоит буква Р) или SMD-8 (в конце названия микросхемы стоит буква G). Так, как частота преобразования для микросхем TNY253 и TNY254 составляет 44 кГц, а для TNY255 — 130 кГц, то импульсный трансформатор для ИБП на микросхеме TNY255 имеет меньшие размеры, чем аналогичный для ИБП на микросхеме TNY253 или TNY254. По этой же причине ИБП на TNY255 создает несколько больший уровень помех.
| Семейство микросхем | Тип микросхем | Тип | Расположение выводов | 230 В или 115 В (с выоенияпрямителем удвоения) | 85…265 В |
| TNY253P | DIP-8 | Рис.1а | 0…4 | 0…2 | |
| TNY253G | SMD-8 | Рис.1б | |||
| TNY254P | DIP-8 | Рис.1а | 2…5 | 1…4 | |
| TNY254G | SMD-8 | Рис.1б | |||
| TNY255P | DIP-8 | Рис.1а | 4…10 | 3,5…6,5 | |
| TNY255G | SMD-8 | Рис.1б | |||
| TNY256P | DIP-8 | Рис.1а | 8…15 | 5…10 | |
| TNY256G | SMD-8 | Рис.1б | |||
| TNY256Y | Т0-220-7В | Рис.1в | 8…19 | 5…11 | |
| TNY263P | DIP-8B | Рис.1а | 5/7,5* | 3,7/4,7* | |
| TNY263G | SMD-8B | Рис.1б | |||
| TNY264P | DIP-8B | Рис.1а | 5,5/9* | 4/6* | |
| TNY264G | SMD-8B | Рис.1б | |||
| TNY265P | DIP-8B | Рис.1а | 8,5/11* | 5,5/7,5* | |
| TNY265G | SMD-8B | Рис.1б | |||
| TNY266P | DIP-8B | Рис.1а | 10/15* | 6/9,5* | |
| TNY266G | SMD-8B | Рис.1б | |||
| TNY267P | DIP-8B | Рис.1а | 13/19* | 8/12* | |
| TNY267G | SMD-8B | Рис.1б | |||
| TNY268P | DIP-8B | Рис.1а | 16/23* | 10/15* | |
| TNY268G | SMD-8B | Рис.1б |
*В числителе указана номинальная мощность преобразователя БП в закрытом корпусе без вентиляции, а в знаменателе — максимальная мощность преобразователя БП в бескорпусном варианте при температуре окружающей среды 50 °С.
ИМС семейства TinySwitch не рекомендуют использовать в производстве современной аппаратуры, но этих микросхем предостаточно в уже произведенной аппаратуре, которая попадает радиолюбителям на ремонт или разборку.
Семейство микросхем TinySwitch Plus, состоящее из одной микросхемы TNY256, является модернизацией TinySwitch. Эта микросхема изготавливается в одном из трех корпусов DIP-8 (TNY256P), SMD-8 (TNY256G) или ТО220-7В (TNY256Y). ИМС TinySwitch Plus мощнее, чем микросхемы TinySwitch (см. табл.1), но это не единственное их различие. Микросхемы TinySwitch Plus имеют защиту по превышению напряжения и прерывистый режим работы (auto-restart) при перегрузке, всего этого не было у микросхем TinySwitch.
Семейство микросхем TinySwitch—II — это продукт дальнейшей модернизации микросхем TinySwitch и TinySwitch Plus с улучшенными характеристиками и защитой. Это обеспечивает сохранность элементов обвязки микросхемы и устройств, которые питаются от ИБП HaTinySwitch-II, при коротких замыканиях, дребезге контактов сетевого соединителя, скачках напряжения сети и т.п. Они имеют частоту преобразования 132 кГц. Семейство TinySwitch-II состоит из шести микросхем TNY263, …, TNY268, каждая из которых изготавливается в одном из двух корпусов DIP-8B (TNY263R …. TNY268P) или SMD-8B (TNY264G, …, TNY268G).
Все микросхемы рассматриваемых семейств содержат:
Корпуса DIP-8 (DIP-8B) и SMD-8(B) имеют 8(7) выводов. Исток МДП-транзистора (S) ИМС в этих корпусах выведен на 5 или 4 вывода микросхемы. Если все выводы истока подпаяны к плате, то это обеспечивает повышенный теплообмен и, в итоге, оптимальное охлаждение микросхемы. Для улучшения теплообмена TNY256Y (в корпусе ТО220-7В) можно крепить за фланец на радиаторе.
| Мощностьпотребленияна холостомходу (мВт) | Частотапреобразования (кГц) |
| 60 | 44 |
| 130 | |
| 50 | 132 |
Назначение выводов микросхем TinySwitch следующее:
(вывод не предназначен для подключения внешней нагрузки);
У микросхем семейств TinySwitch Plus и TinySwitch-II последний из этих выводов имеет двойное назначение и обозначается как EN/UV. Кроме входа разрешения, этот вывод используется как вход UV (under-voltage), что обеспечивает защиту микросхемы при уменьшении напряжения сети. Для обеспечения этой функции на вывод UV необходимо подать через резистор сопротивлением 2 МОм часть напряжения сетевого выпрямителя. Если этот резистор не устанавливать, то схема защиты при уменьшении напряжения сети работать не будет, но все остальные рабочие функции ИМС сохраняются.
Принципиальная схема типового ИБП на микросхемах семейства TinySwitch показана на рис.2, а назначение деталей этой схемы сведено в табл.2.
| № детали | Назначение |
| IC1 | микросхема семейства TinySwitch |
| IC2 | оптопара, обеспечивающая гальваническую развязку в цепи, управляющей обратной связи |
| D1 | сетевой выпрямительный мост |
| D2 | диод вторичного импульсного выпрямителя |
| D3, R3 | пороговое устройство |
| Cl | конденсатор сглаживающего фильтра сетевого выпрямителя |
| СЗ | развязывающий конденсатор внутреннего источника питания 5,8 В микросхемы |
| С4 | конденсатор сглаживающего фильтра вторичного импульсного выпрямителя |
| Rl, С2 | цепь защиты МДП-транзистора от выбросов ЭДС в первичной обмотке Т1 при запирании этого транзистора |
| Т1 | импульсный трансформатор |
Типового принципиальная схема ИБП на ИМС семейства TinySwitch Plus изображена на рис.3. Есть два небольших отличия этой схемы от схемы рис.2.
Первое — это наличие цепи защиты МДП-транзистора от выбросов ЭДС в первичной обмотке Т1 при его запирании, которая состоит из R1, С2 и диода D4. Эту цепь в иностранной технической литературе имеет назвние — снаббер.
Второе — это наличие подтягивающего резистора R2 между плюсом сетевого выпрямителя и входом EN/UV микросхемы. Схема включения микросхем TinySwitch-II и назначение остальных деталей обвязки аналогично TinySwitch Plus (сравните рис.2 и рис.3).
Импульсный блок питания мощностью 5 Вт на микросхеме TNY266P
Этот блок питания разработан изготовителем микросхем TinySwitch фирмой Power Integrations и рассчитан на работу от сети переменного тока 85…265 В. Выходные напряжения 5 В (4,75… 5,25 В) и 12 В (10 … 13,8 В). Его схема изображена на рис.4.
Подробную информацию о нем можно найти в [1 ]. Эта схема имеет ряд особенностей. Во-первых, не задействована защита от перегрузки по уменьшению напряжения (см. выше). Во-вторых, в цепь защиты МДП-транзистора микросхемы U1 от выбросов ЭДС в первичной обмотке импульсного трансформатора Т1 введен супрессор VR1. В-третьих, в одном из вторичных выпрямителей используется диод Шоттки (D6), а для сглаживания пульсаций в этом выпрямителе и выпрямителе напряжения сети используются П-образные LC-фильтры. Назначение деталей этого блока сведено в табл.3.
У радиолюбителей большие трудности вызывает подбор фирменного или изготовление импульсного трансформатора. Замечу, что в [1] приведен расчет и конструкция такого трансформатора для рассмотренного ИБП. Все же, при желании, в этом ИБП можно ис пользовать трансформатор Р5008 фирмы Pulse, не смотря на то, что он рассчитан под микросхему TNY255. Схема этого трансформатора с номерами выводов показана на рис.5, а внешний вид и габариты на рис.6.
Специально для ИБП на микросхемах семейств TinySwitch фирма Pulse выпускает ряд трансформаторов, параметры которых сведены в табл.4.
| Трансформатор (Part Number) | Коэффициент трансформации | Максимальная индуктивность рассеяния (мкГн) | Микросхема | Мощность | Для двух выпрямителей / для одного выпрямителя |
| P5000 | 1:0,007:0,007 | 180 | TNY253 | до 2 Вт | 3,3 В … 6 В/6 В … 12 В |
| P5001 | 1:0,01:0,01 | 6 В… 12 В/12 В… 24 В | |||
| P5004 | 1:0,007:0,007 | 200 | TNY254 | до 4 Вт | 3,3 В… 5,5 В/6 В…12 В |
| P5005 | 1:0,01:0,01 | 6 В … 10 В / 12 В … 24 В | |||
| P5008 | 1:0,007:0,007 | 100 | TNY255 | до 5,5 Вт | 3,3 В… 6 В/6 В… 12 В |
| P5009 | 1:0,01:0,01 | 6 В… 12 В/12 В… 24В |
На схеме ИБП (рис.4) в позиции L2 стоит дроссель индуктивностью 18 мкГн, рассчитанный на ток 2,2 А. В качестве этого дросселя можно использовать один из дросселей производства фирмы Pulse: Р0751.223 (22 мкГн, 2,6 А), Р1168.273 (20,3 мкГн, 2,4 А), Р1169.273 (20,3 мкГн, 2,4 А) или Р0146 (23 мкГн, 2,43 А). Все перечисленные дроссели имеют малые размеры.
В позицию L1 (рис.4) разработчик рекомендует устанавливать низкочастотный дроссель индуктивностью 2,2 мГн, рассчитанный на ток 128 мА (например, фирмы Bosung).
Ссылки
Автор: Игорь Безверхний, г. Киев
Источник: журнал Радиоаматор №1, 2016
